2025年12月24日，備受業(yè)界矚目的第三屆商業(yè)航天發(fā)展大會(huì )暨第四屆中關(guān)村商業(yè)航天大會(huì )在北京隆重舉辦。作為國內高可靠元器件核心供應商，鴻遠電子受邀參加此次盛會(huì )，公司副總工董松作為特邀嘉賓，發(fā)表了題為“商業(yè)航天領(lǐng)域電子元器件質(zhì)量保障及配套產(chǎn)品方案”的精彩演講，分享了公司在應對商業(yè)航天元器件高可靠、低成本等核心挑戰方面的前沿思考與實(shí)踐成果，引發(fā)了與會(huì )專(zhuān)家及行業(yè)同仁的廣泛關(guān)注與深度共鳴。  聚焦行業(yè)前沿，剖析核心挑戰本次論壇匯聚了來(lái)自商業(yè)航天全產(chǎn)業(yè)鏈的重點(diǎn)單位，共同探討行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展背景下的商業(yè)航天、先進(jìn)航天材料、核心元器件、航天技術(shù)成果轉化等關(guān)鍵議題。在展示環(huán)節，公司立足我國商業(yè)航天蓬勃發(fā)展、大規模星座建設加速的宏觀(guān)趨勢，系統剖析了商業(yè)航天對核心元器件提出的高質(zhì)量、高性能、低成本、可持續等新要求所帶來(lái)的挑戰。 分享創(chuàng )新實(shí)踐，提供解決方案基于對商業(yè)航天行業(yè)的深刻洞察，公司聚焦高可靠、低成本的核心需求，系統展示了圍繞該領(lǐng)域所開(kāi)展的一系列創(chuàng )新實(shí)踐。以體系化管控筑牢“高質(zhì)量”根基公司基于多年的GJB質(zhì)量管理體系、軍標線(xiàn)，結合車(chē)規質(zhì)量管理體系，對研制、生產(chǎn)、檢驗、交付的全流程實(shí)施精細化控制。尤其注重對關(guān)鍵過(guò)程與特殊過(guò)程的深度管理，確保每一個(gè)環(huán)節都處于受控狀態(tài)，并做到持續改進(jìn)，從根本上保障產(chǎn)品的高可靠性與一致性，滿(mǎn)足商業(yè)航天對產(chǎn)品質(zhì)量的高要求。以數字化手段實(shí)現“低成本”運營(yíng)公司積極擁抱智能制造，通過(guò)部署MES集成系統、平臺信息系統等信息化工具，實(shí)現了生產(chǎn)運營(yíng)的透明化與高效協(xié)同。在此基礎上，通過(guò)精準定義產(chǎn)品基線(xiàn)、加強前道生產(chǎn)過(guò)程控制、持續優(yōu)化后道檢驗條件等策略，實(shí)現了提質(zhì)增效，為商業(yè)航天客戶(hù)提供了極具競爭力的高性?xún)r(jià)比解決方案。這一系列卓有成效的創(chuàng )新實(shí)踐，不僅體現了公司深厚的技術(shù)與管理能力，也為持續助力我國商業(yè)航天產(chǎn)業(yè)化、規?；l(fā)展提供了堅實(shí)支撐。隨著(zhù)我國商業(yè)航天事業(yè)的蓬勃發(fā)展，公司核心產(chǎn)品高可靠電容器、濾波器、集成電路、微波模塊、微納系統集成陶瓷管殼等，已實(shí)現對商業(yè)航天領(lǐng)域的前瞻性布局與深度適配。同時(shí)，公司參與了商業(yè)航天相關(guān)行業(yè)標準的制定，并配套了包括火箭、衛星在內的多個(gè)工程型號。展望未來(lái)，公司將堅持以客戶(hù)需求為導向，持續加強新產(chǎn)品研發(fā)與技術(shù)創(chuàng )新，不斷提升產(chǎn)品性能與服務(wù)質(zhì)量，全力支撐我國商業(yè)航天實(shí)現高質(zhì)量、可持續發(fā)展。  

一、LTCC技術(shù)及頻率器件介紹1、LTCC技術(shù)低溫共燒陶瓷技術(shù)，簡(jiǎn)稱(chēng)LTCC，是一種可以實(shí)現多種功能三維集成的多層陶瓷工藝，在其工藝流程中通過(guò)采用通孔連接、多層印刷、精準對位疊層及低溫共燒等一系列工序，在產(chǎn)品內部制成具備多層互連的電路結構。隨著(zhù)電子產(chǎn)品向著(zhù)高頻化、小型化、集成化發(fā)展，LTCC技術(shù)已經(jīng)逐步發(fā)展為無(wú)源集成的主流技術(shù)之一。2、LTCC器件應用及機理LTCC頻率器件作為一類(lèi)重要的無(wú)源器件產(chǎn)品，其應用領(lǐng)域很廣泛，典型場(chǎng)景如手機、GPS、WLAN、汽車(chē)電子、雷達系統、射頻電路、電子對抗及衛星通訊等。LTCC頻率器件是通過(guò)電磁場(chǎng)原理設計出三維電路結構，通過(guò)特定參數的設計結合不同陶瓷層上電路的三維連接，實(shí)現特定的高頻功能，常見(jiàn)的產(chǎn)品包括濾波器、功分器、電橋、巴倫、延遲線(xiàn)等。典型的產(chǎn)品內部結構如下圖1所示：  二、元六鴻遠LTCC產(chǎn)品特點(diǎn)元六鴻遠以自主陶瓷材料為基礎，融合多層陶瓷工藝平臺的積累，研制系列化LTCC頻率器件。產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢主要包括：（1）高頻化：使用低介電常數、低損耗的陶瓷材料，有效降低器件在高頻信號下的傳輸損耗；（2）小型化：通過(guò)多層互連進(jìn)一步縮減器件體積，節省布局空間，提升了系統集成度；（3）多種類(lèi)：涵蓋濾波器、雙工器、功分器、巴倫、耦合器等多種類(lèi)無(wú)源頻率器件；（4）高可靠：內部布線(xiàn)抗干擾能力強，溫度穩定性好；（5）尺寸和頻率范圍寬：具備完整的LTCC產(chǎn)品設計、生產(chǎn)制造和性能測試能力，產(chǎn)品頻段覆蓋80MHz~40GHz，滿(mǎn)足1608、2012、3216、4532、4842等多個(gè)封裝尺寸需求，同時(shí)支持定制化開(kāi)發(fā)。 三、產(chǎn)品功能及頻率范圍基于自主材料和產(chǎn)品設計，可以實(shí)現多品類(lèi)頻率器件產(chǎn)品的研制生產(chǎn)。  四、技術(shù)優(yōu)勢公司擁有經(jīng)驗豐富的LTCC技術(shù)團隊，具備完整的LTCC產(chǎn)品設計、生產(chǎn)制造和性能測試能力，瓷料自主可控，可根據客戶(hù)特殊需求進(jìn)行快速響應，具備快速打樣、樣品交付的能力。開(kāi)發(fā)了可鍵合的LTCC頻率器件產(chǎn)品，應對客戶(hù)不同的應用場(chǎng)景需求。典型規格型號封裝如下表，元六鴻遠可以實(shí)現封裝形式靈活調整，滿(mǎn)足應用場(chǎng)景需求。  產(chǎn)品性能方面，可以通過(guò)具有自主設計的內部結構和良好的工藝控制，實(shí)現優(yōu)良的產(chǎn)品性能。如下所示為一款中心頻率為19.5GHz的帶通濾波器產(chǎn)品，元六鴻遠產(chǎn)品（紅色曲線(xiàn)）在性能方面明顯優(yōu)于國外競品。  五、質(zhì)量保障基于LTCC頻率器件特點(diǎn)，公司結合多年多層片式瓷介電容器開(kāi)發(fā)、供貨經(jīng)驗，制定了一整套質(zhì)量保證方案。公司具備進(jìn)行產(chǎn)品測試分選、一致性評估、壽命評估等的全部能力。在生產(chǎn)、供貨過(guò)程中，主要開(kāi)展的檢驗項目如下：  六、打造優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品解決方案LTCC頻率器件作為集成化多層陶瓷工藝技術(shù)的代表產(chǎn)品，可以在超寬的頻率范圍內配合實(shí)現對信號的探測、收發(fā)、分配、耦合、轉換、補償、延時(shí)等功能，在各類(lèi)射頻電路和信息系統內具有重要作用。公司深耕電子陶瓷技術(shù)數十年，對多層陶瓷工藝及相關(guān)產(chǎn)品有著(zhù)深入的理解，目前擁有完整的LTCC生產(chǎn)制造流程以及齊套的可靠性檢驗設備，并基于自主陶瓷材料和在無(wú)源射頻領(lǐng)域應用服務(wù)的積累，可為客戶(hù)提供更優(yōu)的產(chǎn)品解決方案。 

電源電路堪稱(chēng)電子設備的核心命脈，而其中開(kāi)關(guān)電源憑借其高效、緊湊與優(yōu)異的適配性，已成為當前電源方案的主流選擇。在此背景下，如何合理選擇開(kāi)關(guān)電源中的濾波電容，成為影響整機性能的關(guān)鍵一環(huán)。多層瓷介電容器（MLCC）以其高比容、高性能、高可靠性及低ESR等優(yōu)勢，正日益凸顯其在開(kāi)關(guān)電源中不可或缺的地位——無(wú)論是在輸入與輸出端的濾波環(huán)節，還是在諧振、緩沖等關(guān)鍵電路中，MLCC都發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，成為提升電源系統效能與穩定性的重要支撐。例：如圖所示（圖1），在設計一個(gè)開(kāi)關(guān)電源電路時(shí)，需要用到電容器作為濾波電容使用，C1為輸入濾波電容器，C2為輸出濾波電容器，對于高頻開(kāi)關(guān)電源，C1和C2都可采用多層瓷介電容器，構成全瓷型開(kāi)關(guān)電源。圖1那么，在開(kāi)關(guān)電源電路中如何選用多層瓷介電容器才能得到最佳濾波效果？首先要明確濾除的源（信號）的頻率（頻譜）分布，最好知道能量分布情況（圖2）。圖2其次要了解多層瓷介電容器的阻抗頻率特性（圖3）。?  在阻抗頻率特性曲線(xiàn)中，阻抗最低點(diǎn)的頻率是電容器的自諧振頻率?0；?       當工作頻率低于?0時(shí)，電容器呈容性；?       當工作頻率等于?0時(shí)，電容器呈阻性，并且此時(shí)的阻抗最小，僅與ESR相關(guān)；?       當工作頻率大于?0時(shí)，電容器呈感性。由于電容器在自諧振頻率?0時(shí)阻抗值最小，因此選擇“自諧振”頻率越接近噪聲頻率的電容器其濾波效果越好。圖3一般情況下噪聲的頻譜特性都較為復雜，能量分布不均，一般低頻較大、高頻較小。為到達最佳的濾波效果，可采用多只不同容量的電容并聯(lián)（圖4）。但在并聯(lián)應用時(shí)一定要注意反諧振現象。圖4反諧振是發(fā)生在兩個(gè)電容器間的自諧振頻率不同時(shí)的一種現象，并聯(lián)諧振發(fā)生在其中一個(gè)電容器的感性區以及另一個(gè)電容器的容性區，在這個(gè)頻段造成總的阻抗增加（圖5）。因此，插入損耗在出現反諧振的地方會(huì )變小。圖5消除反諧振主要有以下兩種方法：?  在并聯(lián)電容器中間加入鐵氧體磁珠；?  使用低ESL、低ESR的電容器，比如三端電容器。 那么，對于開(kāi)關(guān)電源輸出濾波電容，如何計算？開(kāi)關(guān)電源相對于線(xiàn)性電源，工作頻率更高，功率更大，結構更復雜，濾波范圍主要是電源的開(kāi)關(guān)頻率及高次諧波（圖6）。圖6濾波電容需滿(mǎn)足以下四點(diǎn)：?  滿(mǎn)足可靠性設計要求；?  滿(mǎn)足電源輸出電壓對紋波的要求；?  滿(mǎn)足電源輸出電壓對噪聲的要求；?  自發(fā)熱溫升滿(mǎn)足設計要求。輸出濾波電容Cout的最小電容量可根據加載到輸出電容器上的電流變化量△I、穩態(tài)電容充電時(shí)間ton和技術(shù)指標要求的基波紋波電壓峰峰值△V來(lái)計算（圖7）。其中△I與電源拓撲結構、扼流圈、變壓器參數、電流系數和輸出電流額定值有關(guān)。電容量選型時(shí)還需考慮頻率、直流偏壓、工作溫度、長(cháng)時(shí)間工作對電容值的影響。圖7除此之外，電容器的寄生參數ESR、ESL也將引起電壓尖峰或電流尖峰，這些尖峰一般疊加在基波紋波上，表現為與基波紋波同步，此尖峰的峰峰值成為開(kāi)關(guān)電源輸出電壓噪聲。因此需要計算輸出電容器的ESR和ESL最大值，具體方法如下：輸出濾波電容ESR的最大值可根據開(kāi)關(guān)電源輸出電壓噪聲△VESR和加載到輸出電容器上的電流變化量△I來(lái)計算(圖8)。電容器ESR選型時(shí)還應注意頻率、工作溫度、引入分布電阻、長(cháng)時(shí)間工作和儲存、自發(fā)熱溫升對ESR的影響，同時(shí)考慮設計冗余性；圖8輸出濾波電容ESL的最大值可根據輸出電壓噪聲要求△VESL、加載到輸出電容器上的電流變化量△I和穩態(tài)電容充電時(shí)間ton來(lái)計算(圖9)。電容器ESL選型時(shí)還應注意頻率、工作溫度、引入分布電感、長(cháng)時(shí)間工作和儲存對ESL的影響，同時(shí)考慮設計冗余性；圖9開(kāi)關(guān)電源輸出電壓紋波噪聲峰峰值VP-P包括電容充、放電引起的電壓波動(dòng)△V、脈動(dòng)電流在電容ESR（包含分布電阻）引起的輸出電壓波動(dòng)△VESR、脈動(dòng)電流在電容的ESL（包含分布電感）引起的輸出電壓波動(dòng)△VESL(圖10)；圖10在實(shí)際選擇應用中，大部分情況單只電容器可能無(wú)法滿(mǎn)足上述設計要求，可以選擇多只電容器并聯(lián)或設計多級濾波的方法來(lái)達到設計指標要求。最后總結一下：若要獲得較好的濾波效果需明確要濾除的源的頻率分布、了解多層瓷介電容器的阻抗頻率特性，并聯(lián)電容設計需防止反諧振現象

七十六載砥礪行，盛世華章日月新萬(wàn)里河山披錦繡，千秋偉業(yè)耀古今 鴻遠電子秉承實(shí)業(yè)報國的初心與使命與時(shí)代同頻，與祖國共進(jìn)  在鴻遠研發(fā)室里閃耀的，是創(chuàng )新的星火每一次技術(shù)突破，都是對品質(zhì)的追求生產(chǎn)線(xiàn)上躍動(dòng)的，是奮斗的脈搏每一次產(chǎn)品打磨，都是對匠心的傳承市場(chǎng)前沿奔走的，是擔當的身影每一次需求響應，都是對承諾的恪守 從制造到智造，從堅守到突破只要是國家所需便是我們心之所向、行之所往！  致敬偉大時(shí)代，感恩腳下熱土我們愿傾盡全部智慧與汗水為中華民族偉大復興貢獻力量！ 值此共和國76華誕全體鴻遠人謹以拳拳赤子之心，祝福祖國：九州安泰，繁榮永固國運恒昌，盛世長(cháng)虹  

9月19日下午，由北京市工商聯(lián)、通州區人民政府聯(lián)合舉辦的2025北京民營(yíng)企業(yè)百強發(fā)布會(huì )于北京國際財富中心紫金廳盛大啟幕。此次發(fā)布會(huì )旨在深入貫徹落實(shí)習近平總書(shū)記在民營(yíng)企業(yè)座談會(huì )上的重要講話(huà)精神，助推首都民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。全國工商聯(lián)、北京市委統戰部、北京市工商聯(lián)、通州區政府相關(guān)領(lǐng)導，以及業(yè)界專(zhuān)家、入圍企業(yè)代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證這一標志著(zhù)北京民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的重要時(shí)刻。會(huì )上，備受矚目的“2025北京民營(yíng)企業(yè)百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)科技創(chuàng )新百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)文化產(chǎn)業(yè)百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”榜單，以及“2025北京民營(yíng)企業(yè)優(yōu)秀投資案例”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)社會(huì )責任優(yōu)秀案例”名單正式發(fā)布。鴻遠電子憑借在市場(chǎng)表現、技術(shù)創(chuàng )新與運營(yíng)實(shí)力上構筑的綜合競爭力，成功榮登“北京民營(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”榜單，并一舉斬獲第四名，成為首都民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的典型代表。  公司董事會(huì )秘書(shū)、財務(wù)總監李永強代表公司參加發(fā)布會(huì )，并上臺領(lǐng)受榮譽(yù)牌匾?！氨本┟駹I(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”是今年新設立的獎項，以北京市“專(zhuān)精特新”企業(yè)作為參評范圍，以企業(yè)2024年度經(jīng)營(yíng)情況、產(chǎn)業(yè)發(fā)展定位、從事行業(yè)年限、研發(fā)創(chuàng )新能力等為核心指標，同時(shí)綜合考量企業(yè)依法合規經(jīng)營(yíng)、誠實(shí)守信等方面的表現，根據對核心指標與輔助指標的量化賦值，最終確定入圍企業(yè)名單。在此次評選中，鴻遠電子憑借在專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的深厚沉淀榮登榜單前列，這份榮譽(yù)不僅是對企業(yè)過(guò)往堅守實(shí)業(yè)發(fā)展、堅持科技創(chuàng )新的高度認可，更堅定了企業(yè)深耕主業(yè)、追求卓越的信心。展望未來(lái)，鴻遠電子將繼續牢記“實(shí)業(yè)報國”的初心使命，堅定地向“新”而行、向“高”攀登，在推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步、助力首都經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展的進(jìn)程中，持續貢獻更多力量。

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介硅電容器（Silicon Capacitors）是一種基于半導體制造工藝，融合了MOS工藝與MEMS技術(shù)，通過(guò)微納米級結構設計制造的電子元件，它突破了傳統MLCC和SLCC的性能邊界，為射頻微波電路、高性能數字IC、精密模擬電路等對電子元器件性能、穩定性和集成度要求極高的應用場(chǎng)景提供了新的電容解決方案。硅電容按內部結構特點(diǎn)可分為2D硅電容器和3D硅電容器。2D硅電容器是一種以高摻雜硅作為電極和基底，通過(guò)化學(xué)氣相沉積或熱氧化在其表面生成介質(zhì)層的電容器。3D硅電容器是在2D硅電容器基礎上，為了突破二維平面限制、追求更高容量密度而發(fā)展起來(lái)的具備特殊三維結構的產(chǎn)品。通過(guò)利用半導體微加工技術(shù)（特別是深硅刻蝕等MEMS技術(shù)）在硅襯底上制造出三維立體結構，從而增加介質(zhì)層的有效面積來(lái)顯著(zhù)提升單位面積內的電容量。二、產(chǎn)品特點(diǎn)與傳統電容器（如MLCC、鉭電容）相比，硅電容具有以下顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)：?  超高精度：介質(zhì)層是通過(guò)CVD或熱生長(cháng)形成的，厚度和成分非常均勻，電容值由面積和介質(zhì)厚度決定，因此電容器的容值偏差可以做到非常?。蛇_±0.1%或更高）。?  高溫度穩定性：硅電容產(chǎn)品采用氮化硅或二氧化硅作為介質(zhì)材料，在-55℃～150℃的溫度范圍內，溫度系數僅為±100ppm/℃。?  優(yōu)異的高頻特性：硅電容使用的介質(zhì)材料和結構特點(diǎn)，使其具有很低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL），其在很寬的頻率范圍內保持容量的穩定性。 ?  高長(cháng)期可靠性：硅電容采用半導體薄膜工藝，可保證介質(zhì)致密性與均勻性，電容器長(cháng)期可靠性、批次一致性?xún)?yōu)異。?  高容量密度：3D硅電容通過(guò)在垂直方向上構建三維結構（如深溝槽等），極大地增加電極的有效面積，單位面積電容量較2D硅電容器可提升10～100倍，實(shí)現進(jìn)一步小型化的同時(shí)保留了上述高精度、高穩定性、優(yōu)異的高頻性能和高穩定性的特點(diǎn)。三、應用領(lǐng)域?  高端通信設備：5G基站、射頻功放、光模塊、網(wǎng)絡(luò )設備等中的射頻電路和高速數字處理單元。?  汽車(chē)電子：電動(dòng)汽車(chē)和智能駕駛系統，如發(fā)動(dòng)機控制單元、車(chē)載信息娛樂(lè )系統、高級駕駛輔助系統（ADAS）、激光雷達（LiDAR） 等對溫度和可靠性要求高的場(chǎng)合。?  工業(yè)與醫療電子：工業(yè)自動(dòng)化控制系統、醫療設備（特別是植入式醫療設備），這些應用對元件的長(cháng)期穩定性和可靠性有極致要求。?  航空航天與國防：用于航空電子系統、飛機發(fā)動(dòng)機控制等對溫度穩定性要求較高的電路中。四、產(chǎn)品結構和電極形式公司硅電容分為2D硅電容和3D硅電容，采用在二維平面結構或具有溝槽結構的三維立體結構上沉積介質(zhì)材料，并覆蓋金電極作為引出端，形成可金絲鍵合的微組裝用硅電容或表面貼裝（SMT）用硅電容。1、硅電容器內部結構 2、2D硅電容產(chǎn)品電極形式 3、3D硅電容產(chǎn)品電極形式五、產(chǎn)品典型容值范圍1、2D硅電容典型容值范圍產(chǎn)品系列尺寸（mm）容量（pF）122334710022047010001500D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270G系列0.254*0.7620.508*1.2700.762*2.0321.016*2.0321.270*2.0322、3D硅電容典型容值范圍產(chǎn)品系列尺寸（mm）容量（pF）100022004700100002200047000100000D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270H系列0.400*0.2000.600*0.3001.000*0.5001.600*0.8002.000*1.250六、質(zhì)量保證基于硅電容產(chǎn)品特點(diǎn)，公司結合多年電容器開(kāi)發(fā)、供貨經(jīng)驗，制定了一整套質(zhì)量保證方案。包括其介質(zhì)層的質(zhì)量評估、產(chǎn)品一致性評估、產(chǎn)品測試分選、壽命評估等。在生產(chǎn)、供貨過(guò)程中，主要開(kāi)展的檢驗項目如下：檢驗階段檢驗項目主要項目產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段基礎性能評估容量、損耗角正切、耐壓等結構分析膜層結構、膜層致密性等可靠性評估溫度沖擊、穩態(tài)濕熱、耐焊接熱、靜電放電、高溫壽命生產(chǎn)過(guò)程結構分析膜層結構電性能測試分選容量、損耗角正切、耐壓等外觀(guān)測試分選表面缺陷，邊緣缺陷等七、產(chǎn)品安裝方式硅電容適配打線(xiàn)和SMT貼片安裝工藝，可與各類(lèi)半導體器件良好兼容，安裝示意圖如下。八、小結硅電容器并非要取代傳統的MLCC，而是作為一種高性能、高穩定性電容器的補充技術(shù)，在特定的高端應用領(lǐng)域，尤其是需要與半導體芯片集成的場(chǎng)景中，發(fā)揮著(zhù)重要作用。公司深耕電容領(lǐng)域數十年，對電容產(chǎn)品有著(zhù)深入的理解，公司擁有完善的電容制造以及可靠性檢驗設備和資質(zhì)。公司基于對介電材料的認識和電容器應用的積累，開(kāi)發(fā)了系列化的硅電容產(chǎn)品，為客戶(hù)在高頻、高穩定性電路領(lǐng)域應用提供更優(yōu)的產(chǎn)品解決方案。